Intel今天公(gōng)布了全新(xīn)的工(gōng)藝路線(xiàn)圖，10nm Enhaned SuperFine、7nm分(fēn)别改名(míng)為(wèi)Intel 7、Intel 4(奇怪的寫法需要适應适應)，分(fēn)别用(yòng)于年底的Alder Lake 12代酷睿/明年的Raptor Lake 13代酷睿、後年的Meteor Lake 14代酷睿。

　　再往後則是Intel 3，以及全新(xīn)晶體(tǐ)管架構的Intel 20A、Intel 18A。

　　Meteor Lake此前官方也披露過，計算模塊(Compute Tile/Compute Die)也就是CPU内核部分(fēn)今年第二季度完成流片，首次在桌面采用(yòng)Foveros混合封裝(zhuāng)。

　　按照Intel披露的最新(xīn)信息，Foveros将具(jù)備晶圓級的封裝(zhuāng)能(néng)力，史上第一次提供3D堆疊解決方案，不同IP模塊可(kě)以使用(yòng)不同工(gōng)藝，封裝(zhuāng)凸點間距(bump pitch) 36-50微米。

　　Meteor Lake上用(yòng)的Foveros封裝(zhuāng)技(jì )術已經是第二代，之前首發的是Lakefield，也是大小(xiǎo)核混合架構的嘗鮮之作(zuò)。

　　Intel 4工(gōng)藝Meteor Lake自曝：熱設計功耗最低5W

　　根據最新(xīn)公(gōng)布的示意圖，Meteor Lake主要有(yǒu)三個部分(fēn)封裝(zhuāng)在一起，一是計算模塊，二是GPU模塊，多(duō)達96-192個計算單元，三是SoC-LP，應該是包含内存控制器、PCIe控制器等輸入輸出部分(fēn)，類似AMD銳龍/霄龍裏的IO Die。

　　另外，Meteor Lake的熱設計功耗範圍是最低5W、最高125W，這也和當下的産(chǎn)品線(xiàn)保持基本一緻，Alder Lake 12代酷睿在移動端最低就可(kě)以做到5W，而這在以往都是Atom低功耗架構才能(néng)達成的。

　　Intel 4工(gōng)藝Meteor Lake自曝：熱設計功耗最低5W

　　PS：Intel Xe HPC高性能(néng)計算架構的Ponte Vecchio計算卡，也會使用(yòng)第二代Foveros封裝(zhuāng)，同時還有(yǒu)EMIB封裝(zhuāng)，首次綜合使用(yòng)。

　　Intel 4工(gōng)藝Meteor Lake自曝：熱設計功耗最低5W。

　　10年前的2011年，Intel首發了FinFET工(gōng)藝，22nm FinFET工(gōng)藝當時遠(yuǎn)超台積電(diàn)、三星的28nm，技(jì )術優勢領先友商(shāng)至少三年半（Intel之前的官方表态），然而14nm節點之後，Intel落伍了。

　　從2014年到2021年，Intel的主流CPU工(gōng)藝都是14nm，打磨出了14nm、14nm+及14nm++三代工(gōng)藝，創造了8核5GHz處理(lǐ)器的神話，性能(néng)還是很(hěn)強大的。

　　然而這10年中(zhōng)台積電(diàn)抓住了移動處理(lǐ)器的機會，工(gōng)藝一路升級到了現在的7nm、5nm，哪怕被認為(wèi)技(jì )術水平有(yǒu)水分(fēn)，但台積電(diàn)已然成為(wèi)芯片制造的王者。

　　如果大家了解了這個背景，那麽Intel今天公(gōng)布的新(xīn)一代CPU工(gōng)藝路線(xiàn)圖就更好理(lǐ)解了，3月份上任的新(xīn)CEO基辛格是有(yǒu)着30多(duō)年經驗的Intel老将，見證了Intel工(gōng)藝最輝煌的時代，現在他(tā)要重整旗鼓。

　　當然，這次的改革有(yǒu)一點讓網友感覺驚訝的地方，那就是Intel真的如之前網友調侃的段子那樣，上來就玩了一把給工(gōng)藝改名(míng)的遊戲——年底的10nm ESF工(gōng)藝改名(míng)為(wèi)Intel 7，計劃中(zhōng)的7nm改名(míng)為(wèi)Intel 4，未來還會繼續推出Intel 3工(gōng)藝，這次的改名(míng)直接讓Intel跟台積電(diàn)站到同一起跑線(xiàn)上了，畢竟台積電(diàn)2023年量産(chǎn)的也是3nm工(gōng)藝，同樣也是最後一代FinFET工(gōng)藝。

　　Intel這次推出的工(gōng)藝不僅僅是改名(míng)那麽簡單，有(yǒu)一件事非常值得關注，那就是Intel要率先從納米時代進入埃米時代（?ngstrom，1納米等于10埃米），這就是Intel預計2024年推出的Intel 20A工(gōng)藝，其中(zhōng)的A就指的是埃米。

　　到了埃米時代，20A工(gōng)藝有(yǒu)兩大革命性新(xīn)技(jì )術，RibbonFET及PowerVia，前者就是類似三星的GAA環繞栅極晶體(tǐ)管，PoerVia則首創取消晶圓前側的供電(diàn)走線(xiàn)，改用(yòng)後置供電(diàn)，也可(kě)以優化信号傳輸。

　　現在20A工(gōng)藝的具(jù)體(tǐ)細節還沒公(gōng)布，但從字面意義上來看，20A差不多(duō)是2nm工(gōng)藝的水平，倒也符合3nm之後的摩爾定律進步。

　　20A工(gōng)藝之後還有(yǒu)18A工(gōng)藝，除了繼續改進RibbonFET及PowerVia技(jì )術之外，Intel預計還會首發NA 0.55的下一代EUV光刻機。

　　如果用(yòng)一句話解釋Intel的目标，那就是CEO基辛格日前在媒體(tǐ)采訪中(zhōng)的表态——在2024年到2025年間，Intel将重返半導體(tǐ)技(jì )術領先地位，沒明說的言外之意就是要超越三星、太台積電(diàn)，同時确保美國(guó)在半導體(tǐ)技(jì )術上的地位無可(kě)動搖。